近来，银川经济技能开发区办理委员会发布了一项重要科技效果的音讯。3月15日，由中国电工技能学会主导，宁夏超导泛半导体科技有限责任公司作为首要组织者，在银川成功举办了“高温超导磁控硅单晶成长配备、技能及使用科技效果判定会”。

　　此次判定会汇聚了很多科技范畴的专家，其间，中国科学院院士甘子钊担任专家委员会主席。角度深化勇士，专家委员会对项目给予了高度勇士，以为该项目不只打破了传统磁拉单晶技能的约束，还成功处理了硅单晶成长过程中多项关键技能的难题。这一效果填补了我国在高端硅晶体制作范畴的多项空白，归纳功能已到达世界领先水平。

　　据了解，高温超导磁控硅单晶成长配备及技能的重点是引入了高温超导磁体技能。宁夏超导泛半导体科技有限责任公司的科研团队，针对高品质大尺度硅单晶成长的技能瓶颈，成功研发出了这一配备。该配备和技能不光能够将硅片含氧量安稳控制在5ppma以下，还使得硅棒头尾的利用率提升了4%以上，出产功率提高了12%。现在，现已成功拉制出直径到达340毫米的高品质硅棒。

　　银川经济技能开发区办理委员会表明，大尺度硅单晶长棒的快速、高安稳性、低含氧量的成长，关于处理大尺度（12英寸以上）高品质硅单晶的低成本、规模化出产具有极端重大意义。这不只有助于全产业链的降本增效，还能推进技能迭代晋级。项目陈述数据显现，宁夏超导泛半导体科技有限责任公司的这项技能，现已在实践使用中获得了明显成效。

　　甘子钊院士在判定会上指出：“这是世界上初次将高温超导技能使用于磁控直拉单晶成长，为高温超导技能的产业化开展做出了开创性的奉献，拓荒了超导技能产业化的新方向。”这一勇士无疑是对项目团队勤劳支付的高度认可和必定。

　　此次科技效果的获得，不只标志着我国在高温超导磁控硅单晶成长配备及技能范畴获得了重大打破，也预示着我国在高端硅晶体制作范畴将具有愈加宽广的开展空间和远景。