4月16日，清华大学物理系教授王亚愚，副教授张金松团队与合作者在Nature发表最新研究成果，团队研制出一种新型器件结构：在9纳米MnBi2Te4薄片中，揭示了丰富的反铁磁自旋构型对量子反常霍尔效应的调制，并首次发现面内磁场能加强量子反常霍尔效应，该研究克服了MnBi2Te4器件质量的瓶颈，为研发未来低功耗电子器件，和推动量子技术应用提供了重要基础。
为什么电子设备总发烫？其根源是芯片里的电子在“横冲直撞”！量子反常霍尔效应的发现加速了解决这一问题的进程，与依赖强磁场的量子霍尔效应不同，“反常”在于选取特别的材料，实现在零磁场条件下电子有序运动从根本上避免了能量耗散。
2013年薛其坤院士带领的团队在铁磁拓扑绝缘体中，首次观测到量子反常霍尔效应，实现这一基础科学领域的重大突破。随着研究的不断深入科学家们发现
层状反铁磁材料MnBi2Te4展现出独特的量子特性，使其成为拓扑自旋电子学和低能耗电子器件中的理想材料。不过该体系材料和器件的质量普遍欠佳，量子输运性能调控机制研究仍存在非常明显瓶颈。王亚愚、张金松团队与合作者自2019年开始系统研究MnBi2Te4薄片的输运行为，他们创新性地将氧化铝薄膜引入MnBi2Te4器件制备的微纳加工流程，极大提升了器件质量和可重复性，实现在较大的参数空间，系统研究反铁磁自旋构型对量子反常霍尔效应的调制。MnBi2Te4最大的优点是自带磁性、更干净、可解理且具有拓扑非平庸的能带结构。基于这些特性团队通过调节栅极电压和垂直磁场在覆盖了氧化铝薄膜的样品中发现了量子相变的级联现象，揭示了复杂自旋构型对拓扑边缘态量子输运的影响。最新研究成果以“由自旋翻转和倾斜调控的反铁磁量子反常霍尔效应”为题，于4月16日发表在《自然》（Nature）杂志MnBi2Te4+氧化铝薄膜的器件构型
（a）MnBi2Te4的晶体结构（b）引入氧化铝薄膜的输运器件构型示意图（c）不一样的温度下，霍尔电阻和纵向电阻随磁场系统变化的实验数据（d）（e）根据c图绘制的霍尔电阻率及其导数随磁场的彩色图谱，展示了与输运数据对应的丰富自旋构型
MnBi2Te4是一种二维材料每个结构单元，由Te-Bi-Te-Mn-Te-Bi-Te7个原子层构成厚度接近1.4纳米，由于结构单元之间的范德华层间吸附力较弱，在实际器件制备过程中，能够最终靠机械解理技术，用胶带将三维的MnBi2Te4进行撕薄，“好像把一个千层饼放在桌子上拿起来时最下面的一层饼留在了桌子上”，通过显微镜找到7层的样品，厚度约9纳米，“与直径60-80微米的头发丝相比我们的器件厚度仅为其万分之一”小组成员解释道通过深入分析此前多个器件的性能，团队意识到氧化铝和MnBi2Te4的界面可能对量子输运性质具有关键影响，从而设计了一种新型器件结构。在解理好的MnBi2Te4薄片的表面上沉积3纳米厚的非晶氧化铝薄膜，不仅成功实现了对拓扑表面态的物理保护，更重要的是明显地增强表面层的磁晶各向异性新型器件结构展现出优异的性能，在零磁场条件下即可观测到
量子化的霍尔电阻平台和接近零的纵向电阻这为系统研究量子相变行为提供了理想平台。
（a）（b）基于反铁磁自旋链模型对7层器件在不同磁场下自旋构型的模拟结果（c）面内磁场对量子反常霍尔效应的增强效应（d）通过实验数据获得的不同面内磁场下的热激发能隙（e）反铁磁自旋链模型在不同面内磁场下的模拟结果，与实验数据定性相符
在给MnBi2Te4材料施加面内方向的磁场时，量子反常霍尔效应不仅没被削弱反而表现得更好“面内磁场增强了量子反常霍尔效应”，这与团队之前在铁磁拓扑绝缘体中观察到的“面内磁场会破坏量子化”现象，截然相反，这种特性充分体现了反铁磁拓扑绝缘体的独特优势——抵抗外界磁场干扰，即面内磁场越大材料表面的量子“保护罩”（能隙）就越坚固，为提高MnBi2Te4中的量子反常霍尔效应，提供了一种有效的原位调节手段，并为拓扑反铁磁自旋电子学的潜在应用，打开了新思路。研究根据结果得出这种“反常”行为源于MnBi₂Te₄所特有的拓扑结构与反铁磁序之间的复杂相互作用，该发现不仅加深了对拓扑量子物态的理解，更为设计反铁磁自旋电子器件，提供了重要实验基础。该研究由王亚愚、张金松团队与中国人民大学物理系刘畅研究组合作完成，王亚愚、张金松和刘畅为论文的通讯作者，物理系博士生连梓臣科研助理王永超为论文共同第一作者
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