意法半导体请求用于半导体器材上的石墨烯层成长和一起的硅化钼构成办法专利有助于器材的资料改善

商品介绍

　　金融界 2025 年 1 月 18 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，意法半导体世界公司请求一项名为“用于半导体器材上的石墨烯层成长和一起的硅化钼构成的办法”的专利，揭露号 CN 119314859 A，请求日期为 2024 年 7 月。

　　专利摘要显现，本揭露的施行例触及一种用于半导体器材上的石墨烯层成长和一起的硅化钼构成的办法。供给了一种用于在半导体衬底上构成石墨烯层的办法、一种使用该石墨烯层构成办法的半导体二极管、以及一种也使用该石墨烯层构成办法的光电子半导体器材。一种用于在半导体衬底上设置石墨烯层的示例办法能够包含在半导体衬底的顶外表上堆积金属催化剂层而且图画化金属催化剂层，使得半导体衬底的顶外表的一个或多个部分被一个或多个金属催化剂层结构掩盖。该办法还能够包含在一个或多个金属催化剂层结构的露出外表上促进石墨烯成长进程，其间石墨烯成长进程在一个或多个金属催化剂层结构的露出外表上构成石墨烯层。