第三代半导体材料具备宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体材料。第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表。
随着“碳达峰、碳中和”战略的推进实施，绿色、低碳、清洁能源等技术将加速应用，第三代半导体材料作为实现高效电能转换技术的重要支撑获得加快速度进行发展。2022年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值141.7亿元，较2021年增长11.7%。2023年我国SiC、GaN电力电子产值规模达85.4亿元，GaN微波射频产值达70亿元，我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现市场规模155亿元。
2023年6月2日，工信部等五部门联合印发《制造业可靠性提升实施意见》提出重点提升电子整机装备用SoC/MCU/GPU等高端通用芯片、氮化镓/碳化硅等宽禁带半导体功率器件等电子元器件的可靠性水平，有力推动功率半导体器件产业高质量发展。2023年8月，工业与信息化部发布《新产业标准化领航工程实施方案（2023-2035年）》，提到全方面推进新兴起的产业标准体系建设，研制智能传感器、功率半导体器件、新型显示器件等基础器件标准。
2023年9月5日，为贯彻落实全省推动电子信息产业高质量发展座谈会精神，加快第三代半导体、电子特种气体、新型显示、光伏、大数据等细分行业发展，推进制造强省建设，河北省人民政府办公厅印发《关于支持第三代半导体等5个细分行业发展的若干措施》。提出要支持设计研发验证；推动科技成果转化；打造京津冀集成电路产业集群；培育企业做强做优；支持重点项目建设；鼓励产品创新应用；支持举办行业活动；优化行业监督管理服务等八项措施支持第三代半导体产业发展。
我国第三代半导体技术和产业都取得较好进展，但在材料指标、器件性能等方面与国外领先水平仍存在一定差距，市场继续被国际巨头占据，国产化需求迫切。我国第三代半导体创新发展的时机已成熟，处于重要窗口期。
中投产业研究院发布的《2024-2028年中国未来产业之第三代半导体行业趋势预测及投资机会研究报告》共十二章。首先介绍了第三代半导体行业的总体概况及全球行业发展形势，接着分析了中国第三代半导体行业发展环境、市场总体发展状况以及全国重要区域发展状况。然后分别对第三代半导体产业的产业链相关行业、行业重点企业的经营状况及行业项目案例投资进行了详尽的透析。最后，报告对第三代半导体行业进行了投资分析并对行业未来发展前途进行了科学的预测。
12.3.22024-2028年中国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值预测
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