在全球科技竞争日益激烈的当下，半导体产业作为科技发展的基石，其重要性不言而喻。尤其是在传统半导体材料逐渐面临瓶颈的背景下，第三代半导体材料的崛起正逐步引领市场风潮。而作为中国首都的北京，近年来在这一领域的布局引发广泛关注。新京报贝壳财经记者日前走进北京晶格领域半导体有限公司（下称“晶格领域”）和北京中博芯半导体科技有限公司（下称“中博芯公司”），探秘这两家企业在第三代半导体材料方面的技术突破与市场前景。

　　碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表之一，以其出色的物理特性，慢慢的变成为高压、高功率器件和高频通信设施的核心材料。然而，传统的物理气相传输法（PVT）在制备碳化硅衬底时，面临着成本和扩展性的双重瓶颈。针对这一挑战，晶格领域创新性地采用液相法碳化硅单晶生长技术，通过这一破局方案，最终成功制备出P型及3C-N型碳化硅衬底产品。

　　“相较于PVT方法，液相法技术展示出高质量、低成本和易扩径等显著优势。”晶格领域副总经理郭黛翡如是表示。P型碳化硅衬底主要使用在于高压大功率器件，而3C-N型则在电压控制的碳化硅MOSFET器件中表现突出，填补了市场的空白，注入了新的动力。

　　根据公司CEO张泽盛的介绍，晶格领域目前已经在北京顺义建成了液相法SiC衬底的中试线，并迈出了小规模生产的步伐，预计到2025年初有望实现年产2.5万片碳化硅衬底的能力。此外，未来计划推出年产27万片的规模化产线，助力新能源车、高压变电站等多个行业的发展。

　　除了碳化硅，中博芯公司在氮化镓（GaN）半导体材料方面同样取得了显著的成果。氮化镓作为第三代半导体材料的另一重要组成部分，其优越的物理性能使其成为未来产业的潜力股。中博芯公司总经理张立胜表示，氮化镓具有耐高压、耐高温、低导通电阻等特性，使得其在功率电子、射频电子领域的应用前景十分广阔。

　　在技术研发上，中博芯公司得到了北京大学宽禁带半导体研究中心的支持，勇于进行GaN基半导体材料的创新。公司在氮化镓晶圆领域取得的关键技术突破，使其实现了在6/8英寸Si衬底上GaN基功率电子、射频电子晶圆的批量生产。张立胜指出，氮化镓的功率电子器件主要使用在于手机快充、新能源汽车和光伏储能，是该公司未来的重要增长点。

　　为了满足一直增长的市场需求，中博芯公司已在顺义区投入逾一亿块钱建设生产车间，现有的4条晶圆外延线英寸的氮化镓晶圆材料生产能力。公司今年的收益预期超过1500万元，其中出口订单贡献了60%-70%的收入。

　　值得一提的是，为了进一步支持新材料产业的发展，北京市政府在2023年9月发布了《北京市促进未来产业创新发展实施方案》。该方案涵盖六大领域，尤其是在未来材料方面，计划设立100亿元的新材料产业投资基金。这一措施将为电子信息材料、绿色能源材料等重点领域提供强有力的资金支持。

　　由此可见，北京在布局新材料产业时，正在借助丰富的资源和政策优势，形成以海淀区为创新策源区，顺义、房山、大兴等为产业承载区的发展格局。作为新材料产业中的一员，晶格领域获得了来自该基金的1.2亿元资金注入，推动其产线建设及技术提升。

　　无论是晶格领域的碳化硅，还是中博芯公司的氮化镓，北京的第三代半导体产业正在迅速崛起，展现出巨大的发展的潜在能力和未来市场发展的潜力。随各项政策的不断落实和技术创新的深入推进，这一些企业将在未来市场中占据更重要的角色。

　　当今世界，半导体产业的竞争不仅仅关乎技术，更涉及国家安全与经济发展，而北京作为中国的政治和科技中心，必将在全球科学技术竞争的新版图中扮演愈发重要的角色。晶格领域与中博芯公司正是这一波革命中的先锋，助力新时代的中国制造、科学技术创新。能预见，伴随市场需求的扩大及技术研发的进步，北京的第三代半导体材料将再创辉煌。

　　在科技快速地发展的背景下，北京正通过加速布局第三代半导体材料，以此抵御外部技术压力，推动产业实现自我完善与提升。从晶格领域到中博芯公司，每一个企业的发展都是国家新材料产业战略成功实施的重要体现。面对未来，仅依赖传统模式将无法适应市场的需求，如何通过创新实现飞跃，将是所有新材料企业一同面临的挑战与使命。返回搜狐，查看更加多